对于你的配置，建议从以下步骤开始：
1. **确认内存颗粒**：用CPU-Z或Thaiphoon Burner查看颗粒类型。如果是三星B-die或海力士CJR，时序潜力较大；如果是普通颗粒，建议保守调整。
2. **基础时序调整**：先尝试将主时序CL从18降到16，tRCD和tRP各降1-2（例如16-20-20-40），同时tRFC可以尝试从600左右降到500。每次只改一个参数，用MemTest86或TM5测试稳定性。
3. **电压与频率**：保持1.35V电压不变，如果时序压不下去，可升至1.38V（安全范围）。频率不建议超频，因为3600MHz已经匹配FCLK 1800MHz。
4. **进阶参数**：关注tWR、tWTR、tFAW等小参。例如tWR可从16降到12，tWTR S/L从4/12降到3/10。这些参数对延迟影响明显，但需要反复测试。
5. **风险提示**：不当调整可能导致蓝屏、无法开机。建议先备份BIOS设置，并准备主板CMOS跳线或扣电池清空BIOS。
推荐使用Ryzen DRAM Calculator辅助计算，但最终以实际测试为准。