手动调整内存时序需要系统的方法。首先，确保BIOS是最新版本，F3可能较旧，更新到最新版能改善内存兼容性。然后，建议使用MemTest86或TestMem5（TM5）进行稳定性测试。
具体步骤：
1. 进入BIOS，将内存频率设为6000MHz，电压设为1.35V（DDR5标准电压）。
2. 从主时序开始：尝试CL30-38-38-76，这是许多DDR5 6000的常见优化值。如果稳定，再尝试CL30-36-36-76。
3. 子时序关键参数：tRFC（刷新周期）对性能影响大，DDR5默认约500，可尝试降至350-400，需逐步降低并测试。tWR（写入恢复）可设为48，tCWL（写入延迟）通常与CL相同。
4. 电压调整：如果CL30不稳定，可微调内存电压至1.4V（安全范围），但注意散热。同时尝试CPU VCCSA和VDDQ电压（1.25-1.35V），这些对内存控制器稳定性有帮助。
5. 每次只改一个参数，用TM5（extreme配置）跑至少3圈无错。
对于《赛博朋克2077》，降低延迟能提升最低帧率，但收益有限。推荐最终目标是CL32-36-36-76，兼顾性能与稳定性。