你的延迟偏高是因为 Ryzen 5000 系列的内存控制器与 IF 总线频率同步，3600MHz 对应 1800MHz FCLK，但默认时序偏保守。建议按以下步骤优化：
1. 保持频率 3600MHz，FCLK 设为 1800MHz（1:1 同步）。
2. 进入 BIOS 高级内存设置，将 Command Rate 改为 1T（需稳定性测试）。
3. 主时序：尝试 CL16-18-18-38，部分颗粒可收紧至 CL14。
4. 副时序（关键）：
- tRFC：从 630 降至 350-400（DDR4 3600 常见值），可大幅降低延迟。
- tRRDS/tRRDL：4/6 或 4/8。
- tFAW：16 或 20。
- tWR：12-16。
- tCWL：与 CL 相同或 CL-1。
5. 电压：DRAM 电压 1.35V-1.40V（三星 B-die 可 1.45V），SOC 电压 1.1V-1.15V。
注意：每次修改后需用 MemTest 或 TestMem5 测试稳定性（至少 1 小时）。如果蓝屏或报错，适当放宽时序或增加电压。你的内存颗粒可能是三星 B-die，潜力较大，建议先改 tRFC 和 tRRDS/tFAW，收益最明显。调整后延迟有望降至 60-65ns。